在外延成长领域，高纯石墨盘是必不可少的。它在外延成长中起到加热和装载半导体晶圆的作用。现在，主流外延设备厂商配套的石墨盘在结构上基本相同，均采用在石墨盘基座上规划一个晶圆形状的浅凹槽的方式来装载晶圆。这种规划在成长小尺度的晶圆(比如说4寸半导体晶圆)来说是合理的，保护起来也很方便。但对于成长大尺度的外延片，基于下降晶圆被旋转的石墨盘甩出的风险，晶圆槽底部相对于石墨盘顶部的高度比小尺度石墨盘大一些。
这种规划导致了成长大尺度外延片尤其是厚膜外延片出现了以下几个问题：
        1.由于石墨盘与晶圆接触区域较多，在成长厚膜外延片时，沉积的外延层会添加石墨盘与半导体晶圆的粘接，使得成长完成后将外延片从石墨盘中无损伤取出较为困难，乃至可能导致裂片。
        2.因晶圆边际处较高的台阶使得该区域存在气体湍流，容易滞留较多的成长气体，然后使得外延片厚度和载流子浓度均匀性较差。
        3.因外延炉一般采用射频感应加热，热量传递的方向是沿着石墨盘径向从边际到中心，使得石墨盘边际的温度高于中心区域的温度，这在大尺度外延成长中尤为杰出。

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